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電子開(kāi)關(guān)并聯(lián)移能滅磁
發(fā)布時(shí)間:2021-10-28 17:36:35      點(diǎn)擊次數:1351

國內一些廠(chǎng)家將滅磁開(kāi)關(guān)建壓任務(wù)轉移到電力電子器件上來(lái)。其原理是利用電容的放電過(guò)程,使可控硅的電流降到零,并形成反壓使之關(guān)斷。

這類(lèi)方式下開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)間短,因此開(kāi)關(guān)在開(kāi)斷過(guò)程中所需遮斷能容就小,并且建壓速度快,利于快速滅磁。但其缺點(diǎn)是開(kāi)關(guān)動(dòng)作的可靠性取決于電子回路工作的可靠性。

與機械開(kāi)關(guān)比較它沒(méi)有觸頭磨損,易于維護,成本也低。但在大電流系統中不宜采用。它存在兩個(gè)問(wèn)題:發(fā)熱問(wèn)題及器件選型問(wèn)題。然而值得注意的是,隨著(zhù)電力電子器件的快速發(fā)展,高電壓大電流的全控器件也會(huì )在不久投入商業(yè)運行。電力電子器件將在滅磁中發(fā)揮更大的作用。但是長(cháng)期通流帶來(lái)的發(fā)熱仍是采用這種方法需解決的首要問(wèn)題。

為克服上述兩種滅磁方式的缺點(diǎn),人們開(kāi)始在材料科學(xué)領(lǐng)域探索,尋找一種既不發(fā)熱,又可以建壓的材料。將PTC電阻或鉬棒與開(kāi)關(guān)并聯(lián),利用材料在溫度升高時(shí)電阻急劇增加的特點(diǎn),建立比較高的電壓,打通滅磁電阻回路,實(shí)現滅磁。也可以采用超導材料串入回路,在需要滅磁時(shí)使超導材料失超。但是若要建立比較高的電壓,超導體的長(cháng)度相應比較長(cháng),體積比較大。

由于以上滅磁方式的缺陷,業(yè)內人士希望能夠將可控硅整流橋直接關(guān)斷,將機械開(kāi)關(guān)移至勵磁變低壓側。這樣解決了勵磁系統具有明顯開(kāi)路點(diǎn)的問(wèn)題、又解決了機械并聯(lián)滅磁方式開(kāi)關(guān)難選擇的問(wèn)題。


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